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GaN快充模組方案

GaN快充模組方案

2020. 10. 14

浩陽推出 60W PD GAN POWER, 尺寸上亦達到45CC要求,在無任何散熱元件協助下, 將GAN FET 元件溫度成功保持在75度C(115Vac/60W out /環溫28度C), 高壓效率亦可高于93% 水平, EMI(CE/RE)表現上亦可維持低于-6dB以上之要求, 電源成本上同時提供客戶不同于市面方案總成本。

有關更詳細的訊息,您可參閱GaN快充模組,或與浩陽半導體窗口聯系。
臺灣tw@hawyang-semi.com+886-(2)-8911-2699
深圳cn@hawyang-semi.com+86-755-8980-7897

浩陽半導體股份有限公司

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